- Модель продукта IPB65R095C7ATMA2
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4689
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 24A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 95mOhm @ 11.8A, 10V
- Материал феррулы 128W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 590µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 650 V
- 45 nC @ 10 V
- 2140 pF @ 400 V