- Модель продукта SISS65DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2523
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8S
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 25.9A (Ta), 94A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 4.6mOhm @ 15A, 10V
- Материал феррулы 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
- Барьерный тип 2.3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8S
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 138 nC @ 10 V
- 4930 pF @ 15 V