Инвентаризация:9344

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 10.4A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 11mOhm @ 10A, 10V
  • Материал феррулы 1.2W (Ta)
  • Барьерный тип 2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 22.2 nC @ 10 V
  • 1522 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 3134

TRIAC ALTERNISTOR 600V 12A TO220

Инвентаризация: 3728

NCH 60V 20A, HSMT8G, POWER MOSFE

Инвентаризация: 2420

MOSFET N-CH 60V 3A SOT23

Инвентаризация: 114161

MOSFET N-CH 100V 40A TO252

Инвентаризация: 4144

Top