- Модель продукта NTMD4N03R2G
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 2W
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 4A
- Глубина 400pF @ 20V
- Сопротивление при 25°C 60mOhm @ 4A, 10V
- Тип симистора 16nC @ 10V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Инвентаризация: 75857
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Инвентаризация: 250843
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Инвентаризация: 12346
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Инвентаризация: 9634
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Инвентаризация: 38689
MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC
Инвентаризация: 0
