- Модель продукта SIRA62DP-T1-RE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 51.4A/80A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:7486
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 51.4A (Ta), 80A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.2mOhm @ 15A, 10V
- Материал феррулы 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
- Барьерный тип 2.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество +16V, -12V
- 30 V
- 93 nC @ 10 V
- 4460 pF @ 15 V