Инвентаризация:10141

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® 1212-8W Dual
  • Количество витков Surface Mount, Wettable Flank
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 27.8W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6A (Tc)
  • Глубина 572pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 36mOhm @ 1.25A, 10V
  • Тип симистора 8.8nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8W Dual
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


Piezoresistive Sensor, Gage, 0Ps

Инвентаризация: 104

MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212

Инвентаризация: 5720

MOSFET 2N-CH 40V 6A PWRPAK1212

Инвентаризация: 2960

Top