- Модель продукта SQS966ENW-T1_GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:10141
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8W Dual
- Количество витков Surface Mount, Wettable Flank
- Скорость 2 N-Channel (Dual)
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 27.8W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 60V
- Толщина внешнего контактного покрытия 6A (Tc)
- Глубина 572pF @ 25V
- Сопротивление при 25°C 36mOhm @ 1.25A, 10V
- Тип симистора 8.8nC @ 10V
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8W Dual
- Диаметр - Плечо Automotive
- AEC-Q101