- Модель продукта NVMFS6H801NWFT1G
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4500
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN, 5 Leads
- Количество витков Surface Mount, Wettable Flank
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 23A (Ta), 157A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.8mOhm @ 50A, 10V
- Материал феррулы 3.8W (Ta), 166W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 64 nC @ 10 V
- 4120 pF @ 40 V
- AEC-Q101