- Модель продукта NTTFS6H850NTAG
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4405
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerWDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 11A (Ta), 68A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 9.5mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 3.2W (Ta), 107W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 70µA
- Максимальное переменное напряжение 8-WDFN (3.3x3.3)
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 19 nC @ 10 V
- 1140 pF @ 40 V