Технические детали

• Тип монтажа 8-PowerTDFN
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 12W (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 25V
• Толщина внешнего контактного покрытия 40A (Ta)
• Глубина 1040pF @ 12.5V, 2510pF @ 12.5V
• Сопротивление при 25°C 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V
• Тип симистора 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
• Тип подключения Logic Level Gate, 5V Drive
• Барьерный тип 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-VSON-CLIP (5x6)