- Модель продукта MT3S113TU,LF
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
- Классификация Биполярные радиочастотные транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4002
Технические детали
- Тип монтажа 3-SMD, Flat Lead
- Количество витков Surface Mount
- Резистивный материал NPN
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Площадь (Д x Ш) 12.5dB
- Смываемый 900mW
- Длина - Резьбовая часть под головкой 100mA
- IGBT Тип 5.3V
- Входной логический уровень - Высокий 200 @ 30mA, 5V
- Тип диода 11.2GHz
- Срок действия лицензии 1.45dB @ 1GHz
- Максимальное переменное напряжение UFM