- Модель продукта MT3S113(TE85L,F)
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI
- Классификация Биполярные радиочастотные транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4367
Технические детали
- Тип монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество витков Surface Mount
- Резистивный материал NPN
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Площадь (Д x Ш) 11.8dB
- Смываемый 800mW
- Длина - Резьбовая часть под головкой 100mA
- IGBT Тип 5.3V
- Входной логический уровень - Высокий 200 @ 30mA, 5V
- Тип диода 12.5GHz
- Срок действия лицензии 1.45dB @ 1GHz
- Максимальное переменное напряжение S-Mini