- Модель продукта MT3S111P(TE12L,F)
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
- Классификация Биполярные радиочастотные транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа TO-243AA
- Количество витков Surface Mount
- Резистивный материал NPN
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Площадь (Д x Ш) 10.5dB
- Смываемый 1W
- Длина - Резьбовая часть под головкой 100mA
- IGBT Тип 6V
- Входной логический уровень - Высокий 200 @ 30mA, 5V
- Тип диода 8GHz
- Срок действия лицензии 1.25dB @ 1GHz
- Максимальное переменное напряжение PW-MINI