- Модель продукта IPDD60R125G7XTMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3187
Технические детали
- Тип монтажа 10-PowerSOP Module
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 125mOhm @ 6.4A, 10V
- Материал феррулы 120W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 320µA
- Максимальное переменное напряжение PG-HDSOP-10-1
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 600 V
- 27 nC @ 10 V
- 1080 pF @ 400 V