- Модель продукта SISS12DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8S
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 37.5A (Ta), 60A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.98mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 5W (Ta), 65.7W (Tc)
- Барьерный тип 2.4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8S
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество +20V, -16V
- 40 V
- 89 nC @ 10 V
- 4270 pF @ 20 V