Инвентаризация:4296

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® SO-8 Dual
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 34W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
  • Глубина 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 7.5mOhm @ 8A, 10V, 17mOhm @ 8A, 10V
  • Тип симистора 30nC @ 10V, 85nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8 Dual
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


IC GATE AND 2CH 2-INP 8TSSOP

Инвентаризация: 17427

MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8

Инвентаризация: 5921

MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8

Инвентаризация: 7779

MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8

Инвентаризация: 8846

Top