- Модель продукта IRF8113PBF
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 17.2A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
- Материал феррулы 2.5W (Ta)
- Барьерный тип 2.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SO
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 36 nC @ 4.5 V
- 2910 pF @ 15 V