Инвентаризация:6322

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5.7A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 5A, 10V
  • Материал феррулы 1.3W
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 30 nC @ 10 V
  • 2163 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 2654

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

Инвентаризация: 27726

MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN

Инвентаризация: 2186

PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF

Инвентаризация: 10441

MOSFET P-CH 60V 42A POWERFLAT

Инвентаризация: 0

Top