- Модель продукта MRFX1K80GNR5
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS Yes
- Описание RF MOSFET LDMOS 65V OM1230G-4
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1528
Технические детали
- Тип монтажа OM-1230G-4L
- Количество витков Chassis Mount
- Индуктивность 1.8MHz ~ 470MHz
- Общее сопротивление 1800W
- Площадь (Д x Ш) 24dB
- Функция - Освещение LDMOS
- Максимальное переменное напряжение OM-1230G-4L
- 65 V
Сопутствующие товары
RF MOSFET LDMOS 50V SOT539A
Инвентаризация: 407
RF MOSFET LDMOS 50V OM1230G-4
Инвентаризация: 30
RF MOSFET LDMOS 65V NI1230
Инвентаризация: 0
