Инвентаризация:8350

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 33A (Ta), 100A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 1.4mOhm @ 50A, 10V
  • Материал феррулы 3W (Ta), 115W (Tc)
  • Барьерный тип 2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8 FL
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 40 V
  • 85 nC @ 10 V
  • 6020 pF @ 20 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON

Инвентаризация: 73828

MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON

Инвентаризация: 11946

Top