Инвентаризация:5126

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 39A (Ta), 100A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 1mOhm @ 50A, 10V
  • Материал феррулы 3W (Ta), 167W (Tc)
  • Барьерный тип 2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8 FL
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 40 V
  • 133 nC @ 10 V
  • 9520 pF @ 20 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON

Инвентаризация: 10220

MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON

Инвентаризация: 25815

MOSFET N-CH 40V 282A

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON

Инвентаризация: 9178

PCH -30V -13A POWER MOSFET : RS3

Инвентаризация: 7261

Top