Инвентаризация:7627

Технические детали

  • Тип монтажа 4-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 1.3A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 270mOhm @ 780mA, 10V
  • Материал феррулы 1.3W (Ta)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 4-HVMDIP
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 16 nC @ 10 V
  • 360 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP

Инвентаризация: 2935

MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP

Инвентаризация: 1785

TRANS PNP 60V 0.8A TO92-3

Инвентаризация: 11526

MOSFET N-CH 650V 20A TO247

Инвентаризация: 560

Top