Инвентаризация:1809

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 400mOhm @ 5.4A, 10V
  • Материал феррулы 3W (Ta), 74W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение TO-263 (D2PAK)
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 200 V
  • 43 nC @ 10 V
  • 800 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOIC

Инвентаризация: 0

IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SOIC

Инвентаризация: 47830

MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

Инвентаризация: 854

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

Инвентаризация: 1583

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

Инвентаризация: 557

MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK

Инвентаризация: 1833

Top