- Модель продукта SIS606BDN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:13500
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 9.4A (Ta), 35.3A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 17.4mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 3.7W (Ta), 52W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8
- Длина ремня 7.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 30 nC @ 10 V
- 1470 pF @ 50 V