Инвентаризация:37128

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 P-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.9A
  • Глубина 710pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 58mOhm @ 4.9A, 10V
  • Тип симистора 34nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO

Сопутствующие товары


MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO

Инвентаризация: 0

MOSFET N/P-CH 30V 8SO

Инвентаризация: 17813

MOSFET N/P-CH 30V 8SO

Инвентаризация: 13211

MOSFET N-CH 30V 21A 8SO

Инвентаризация: 16011

Top