Инвентаризация:37758

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6.7A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 40mOhm @ 3.2A, 4.5V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta)
  • Барьерный тип 700mV @ 250µA (Min)
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO
  • Длина ремня 2.7V, 4.5V
  • Шаг Количество ±12V
  • 20 V
  • 50 nC @ 4.5 V
  • 1500 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO

Инвентаризация: 8059

MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23

Инвентаризация: 161461

MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23

Инвентаризация: 69033

Top