Инвентаризация:9065

Технические детали

  • Тип монтажа 3-XFDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 1A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 320mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Материал феррулы 520mW (Ta)
  • Барьерный тип 950mV @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение X2-DFN1006-3
  • Длина ремня 1.8V, 4.5V
  • Шаг Количество ±8V
  • 20 V
  • 0.89 nC @ 4.5 V
  • 71 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 100MA VMT3

Инвентаризация: 163723

IC GATE OR 1CH 2-INP SOT25

Инвентаризация: 111430

MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN

Инвентаризация: 124007

MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89

Инвентаризация: 6973

IC BUF NON-INVERT 3.6V 20X1QFN

Инвентаризация: 6374

Top