- Модель продукта IPB60R080P7ATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 600V 37A D2PAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 37A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 80mOhm @ 11.8A, 10V
- Материал феррулы 129W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 590µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 600 V
- 51 nC @ 10 V
- 2180 pF @ 400 V