Инвентаризация:3780

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 36A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 7.5mOhm @ 10A, 10V
  • Материал феррулы 2.18W (Ta)
  • Барьерный тип 2.1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 126.2 nC @ 10 V
  • 6234 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON

Инвентаризация: 10333

MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8

Инвентаризация: 18251

Top