Инвентаризация:2927

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 28.9A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
  • Материал феррулы 1.9W (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 31.8 nC @ 10 V
  • 2107 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


TRANS NPN 50V 0.5A 3CPH

Инвентаризация: 13876

MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333

Инвентаризация: 68100

MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2

Инвентаризация: 8635

MOSFET N-CH 60V 14A 8SO T&R 2

Инвентаризация: 5223

MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2

Инвентаризация: 0

20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Инвентаризация: 3415

MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO

Инвентаризация: 8096

MOSFET P-CH 30V 5A 8SO

Инвентаризация: 23096

Top