- Модель продукта A2V09H525-04NR6
- Бренд NXP Semiconductors
- RoHS Yes
- Описание RF MOSFET LDMOS 48V OM1230-4
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа OM-1230-4L
- Толщина контактного покрытия 10µA
- Количество витков Surface Mount
- Индуктивность 720MHz ~ 960MHz
- Общее сопротивление 120W
- Площадь (Д x Ш) 18.9dB
- Функция - Освещение LDMOS
- Максимальное переменное напряжение OM-1230-4L
- Длина ножки 105 V
- 48 V
- 688 mA