- Модель продукта SISS26DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:15309
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8S
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 4.5mOhm @ 15A, 10V
- Материал феррулы 57W (Tc)
- Барьерный тип 3.6V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8S
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 37 nC @ 10 V
- 1710 pF @ 30 V