- Модель продукта SIS444DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS No
- Описание MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 35A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 3.3mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 52W (Tc)
- Барьерный тип 2.3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 102 nC @ 10 V
- 3065 pF @ 15 V