- Модель продукта FDMS4D4N08C
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5117
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 123A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 4.3mOhm @ 44A, 10V
- Материал феррулы 125W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6), Power56
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 56 nC @ 10 V
- 4090 pF @ 40 V