- Модель продукта IPD60R360P7SAUMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 9A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 360mOhm @ 2.7A, 10V
- Материал феррулы 41W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 140µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO252-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 600 V
- 13 nC @ 10 V
- 555 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Инвентаризация: 6456
MOSFET N-CH 600V 26A TO220
Инвентаризация: 661
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Инвентаризация: 35667
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Инвентаризация: 3464
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Инвентаризация: 2416
MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
Инвентаризация: 81786
650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER
Инвентаризация: 370
HEATSINK AND CLIP FOR TO-220 BLK
Инвентаризация: 11165
TO-220 AUTO CLIP HEAT SINK
Инвентаризация: 39
