- Модель продукта SIHP11N80E-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1511
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 440mOhm @ 5.5A, 10V
- Материал феррулы 179W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220AB
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 800 V
- 88 nC @ 10 V
- 1670 pF @ 100 V