- Модель продукта IPD80R1K2P7ATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:16424
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4.5A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
- Материал феррулы 37W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 80µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO252-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 800 V
- 11 nC @ 10 V
- 300 pF @ 500 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Инвентаризация: 20667
MOSFET N-CH 800V 4A TO252
Инвентаризация: 18277
MOSFET N-CH 800V 11A TO252
Инвентаризация: 12542
MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Инвентаризация: 4862
