Инвентаризация:78121

Технические детали

  • Тип монтажа 6-VDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 P-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 620mW
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.7A (Tc)
  • Глубина 1230pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 3A, 4.5V
  • Тип симистора 9.6nC @ 4.5V
  • Барьерный тип 800mV @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 6-TDFN (2x2)

Сопутствующие товары


MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN

Инвентаризация: 179299

Top