Инвентаризация:2830

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 50A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 6.8mOhm @ 11.5A, 10V
  • Материал феррулы 2.4W (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение V-DFN3333-8 (Type B)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±25V
  • 30 V
  • 64.2 nC @ 10 V
  • 2826 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


BRIDGE RECT 1P 400V 20A TS-6P

Инвентаризация: 1200

MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN

Инвентаризация: 6394

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

Инвентаризация: 38344

Top