Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 6-UDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel Complementary
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1.36W (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 12V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5.1A (Ta), 3.9A (Ta)
  • Глубина 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V
  • Сопротивление при 25°C 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
  • Тип симистора 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение U-DFN2020-6 (Type B)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN

Инвентаризация: 2598

Top