- Модель продукта IPB110N20N3LFATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4583
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 88A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 11mOhm @ 88A, 10V
- Материал феррулы 250W (Tc)
- Барьерный тип 4.2V @ 260µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 200 V
- 76 nC @ 10 V
- 650 pF @ 100 V