Инвентаризация:19102

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 2.3mOhm @ 50A, 10V
  • Материал феррулы 83W (Tc)
  • Барьерный тип 2.3V @ 49µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 30 nC @ 4.5 V
  • 4400 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3

Инвентаризация: 227159

MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK

Инвентаризация: 5903

MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

Инвентаризация: 25813

TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3

Инвентаризация: 13992

Top