- Модель продукта STL3N65M2
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3159
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 2.3A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.8Ohm @ 1A, 10V
- Материал феррулы 22W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerFlat™ (3.3x3.3)
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±25V
- 650 V
- 5 nC @ 10 V
- 155 pF @ 100 V