- Модель продукта STP11NM80
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2195
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -65°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 11A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 400mOhm @ 5.5A, 10V
- Материал феррулы 150W (Tc)
- Барьерный тип 5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 800 V
- 43.6 nC @ 10 V
- 1630 pF @ 25 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Инвентаризация: 16839
MOSFET N-CH 250V TSON-8
Инвентаризация: 9099
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3F
Инвентаризация: 236
RF MOSFET LDMOS 12.5V PWRSO-10RF
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB
Инвентаризация: 1020
