- Модель продукта SIHJ10N60E-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2717
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 360mOhm @ 5A, 10V
- Материал феррулы 89W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 600 V
- 50 nC @ 10 V
- 784 pF @ 100 V