- Модель продукта SQJ474EP-T1_GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 26A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 26A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 45W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 30 nC @ 10 V
- 1100 pF @ 25 V
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
Инвентаризация: 950
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Инвентаризация: 274879
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Инвентаризация: 6949
MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Инвентаризация: 6000
MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8
Инвентаризация: 14504
