- Модель продукта SIRA24DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:8547
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.4mOhm @ 15A, 10V
- Материал феррулы 62.5W (Tc)
- Барьерный тип 2.1V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество +20V, -16V
- 25 V
- 26 nC @ 4.5 V
- 2650 pF @ 10 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Инвентаризация: 16647
N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET
Инвентаризация: 8630
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 2382
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 3762
