- Модель продукта SISS28DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:7480
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8S
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.52mOhm @ 15A, 10V
- Материал феррулы 57W (Tc)
- Барьерный тип 2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8S
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество +20V, -16V
- 25 V
- 35 nC @ 4.5 V
- 3640 pF @ 10 V