- Модель продукта IPN50R1K4CEATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:17799
Технические детали
- Тип монтажа TO-261-4, TO-261AA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4.8A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.4Ohm @ 900mA, 13V
- Материал феррулы 5W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 70µA
- Максимальное переменное напряжение PG-SOT223-3
- Длина ремня 13V
- Шаг Количество ±20V
- 500 V
- 8.2 nC @ 10 V
- 178 pF @ 100 V