- Модель продукта IPD50R650CEAUMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2954
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 9A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 650mOhm @ 1.8A, 13V
- Материал феррулы 69W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 150µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO252-3-344
- Длина ремня 13V
- Шаг Количество ±20V
- 500 V
- 15 nC @ 10 V
- 342 pF @ 100 V