- Модель продукта SIHD12N50E-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4469
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TA)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 10.5A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 380mOhm @ 6A, 10V
- Материал феррулы 114W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение DPAK
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 550 V
- 50 nC @ 10 V
- 886 pF @ 100 V